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    半導體探測器 應用領域

    2016/11/11 14:18:32

    上述各種γ射線探測器均須在低溫下工作。人們日益注意探索可在常溫下探測γ射線的半導體材料。一些原子序數(shù)較大的化合物半導體,如碲化鎘、砷化鎵、碘化汞、硒化鎘等,均已用于制備X、γ射線探測器,并已取得不同程度的進展。

    隨著科學技術不斷發(fā)展需要,科學家們在鍺鋰Ge(Li)、硅鋰Si(Li)、高純鍺HPGe、金屬面壘型等探測器的基礎上研制出許多新型的半導體探測器,如硅微條、Pixel、CCD、硅漂移室等,并廣泛應用在高能物理、天體物理、工業(yè)、安全檢測、核醫(yī)學、X光成像、軍事等各個領域。世界各大高能物理實驗室?guī)缀醵疾捎冒雽w探測器作為頂點探測器。美國費米實驗室的CDF和D0,SLAC的B介子工廠的BaBar實驗,西歐高能物理中心(CERN)LEP上的L3,ALEPH,DELPHI,OPAL,正在建造的質子-質子對撞機LHC上的ATLAS,CMS及日本的KEK,德國的HARA、HARB及Zeus等。ATLAS和CMS還采用了硅微條探測器代替漂移室作為徑跡測量的徑跡室。近些年高能物理領域所有新的物理成果,無不與這些高精度的具有優(yōu)良性能的先進探測器密切相關。

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